型号：FDR8309P
功能描述：MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：650 V
闸/源击穿电压：25 V
漏极连续电流：130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms
配置：Single
最大工作温度：
安装风格：Through Hole
封装 / 箱体：Max247
封装：Tube
FDR836P
FDR838P
FDR840P
FDR842P
FDR842P_Q
FDR844P
FDR8508P
FDR8521L
FDR8521L_Q
FDR856P
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